| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Лазарчук, А. В. | |
| dc.coverage.spatial | Брест | |
| dc.date.accessioned | 2025-01-08T09:07:58Z | |
| dc.date.available | 2025-01-08T09:07:58Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Тарасюк, Н. П. Применение метода матриц переноса для расчетов гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / Н. П. Тарасюк, А. В. Лазарчук. – Текст : непосредственный // Цифровая среда: технологии и перспективы. DETP 2024 : сборник материалов II Международной научно-практической конференции, Брест, 31 октября–1 ноября 2024 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Брестский государственный технический университет, Факультет электронно-информационных систем ; редколлегия: Н. Н. Шалобыта, В. С. Разумейчик, С. С. Дереченник, Д. О. Петров. – Брест : БрГТУ, 2024. – ISBN 978-985-493-639-0. – С. 123–127. – Библиография: 5 назв. | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/46896 | |
| dc.description.abstract | The method of transfer matrices for calculating optical properties of InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures with different number of quantum wells is considered. The maximum optical confinement factor depending on the number of quantum wells and thicknesses of waveguide layers are calculated. | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БрГТУ | |
| dc.title | Применение метода матриц переноса для расчетов гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs | ru |
| dc.type | Научный доклад (Working Paper) | |
| dc.identifier.udc | 535:621.373.8 | |
