Применение метода матриц переноса для расчетов гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

Тарасюк, Николай Петрович; Лазарчук, А. В.

Поиск по всему репозиторию:

Открыть/скачать файлы документа

123-127.pdf (387.5Kb)

Автор

Тарасюк, Николай Петрович
Лазарчук, А. В.

Дата издания

2024

Издательство

БрГТУ

УДК

535:621.373.8

Показать полное описание

Библиографическое описание

Тарасюк, Н. П. Применение метода матриц переноса для расчетов гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / Н. П. Тарасюк, А. В. Лазарчук. – Текст : непосредственный // Цифровая среда: технологии и перспективы. DETP 2024 : сборник материалов II Международной научно-практической конференции, Брест, 31 октября–1 ноября 2024 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Брестский государственный технический университет, Факультет электронно-информационных систем ; редколлегия: Н. Н. Шалобыта, В. С. Разумейчик, С. С. Дереченник, Д. О. Петров. – Брест : БрГТУ, 2024. – ISBN 978-985-493-639-0. – С. 123–127. – Библиография: 5 назв.

Аннотация

The method of transfer matrices for calculating optical properties of InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures with different number of quantum wells is considered. The maximum optical confinement factor depending on the number of quantum wells and thicknesses of waveguide layers are calculated.