Search
Применение метода матриц переноса для расчетов гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
View/
Date
2024Publisher
БрГТУUDC
535:621.373.8Citation
Тарасюк, Н. П. Применение метода матриц переноса для расчетов гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / Н. П. Тарасюк, А. В. Лазарчук. – Текст : непосредственный // Цифровая среда: технологии и перспективы. DETP 2024 : сборник материалов II Международной научно-практической конференции, Брест, 31 октября–1 ноября 2024 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Брестский государственный технический университет, Факультет электронно-информационных систем ; редколлегия: Н. Н. Шалобыта, В. С. Разумейчик, С. С. Дереченник, Д. О. Петров. – Брест : БрГТУ, 2024. – ISBN 978-985-493-639-0. – С. 123–127. – Библиография: 5 назв.Abstract
The method of transfer matrices for calculating optical properties of InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures with different number of quantum wells is considered. The maximum optical confinement factor depending on the number of quantum wells and thicknesses of waveguide layers are calculated.
Collection
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.