Поиск по всему репозиторию:
Просмотр Вестник Брестского государственного технического университета по автору "Тарасюк, Николай Петрович"
Отображаемые элементы 1-13 из 13
-
Визуализация кристаллических решеток в пакете «Mathematica»
Краглер, Роберт; Русаков, Константин Иванович; Тарасюк, Николай Петрович (БрГТУ, 2002)В работе рассматриваются способы визуализации кристаллических решеток средствами пакета «Mathematica». Приведены конкретные примеры реализации гранецентрированной кубической решетки, гексагональной элементарной ячейки и решетки типа алмаза.2021-03-26
-
Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
Тарасюк, Николай Петрович; Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Луценко, Евгений Викторович (БрГТУ, 2018)Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN с учетом контактных сопротивлений. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.2019-06-26
-
Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGan/Gan, оптимизированных под фундаментальную моду
Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2016)Гетероструктуры InGaN/GaN являются перспективными для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой – сине-зеленой области спектра. Благодаря более короткой длине волны синие лазеры обеспечивают более высокую плотность записи данных. Одно из возможных применений лазеров в зеленой ...2019-08-20
-
Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2017)Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.2019-06-19
-
Дизайн гетероструктур для оптической накачки с активной областью из квантовых точек CdSe в ZnSe матрице и их фактор оптического ограничения
Луценко, Евгений Викторович; Войнолович, Алексей Геннадьевич; Тарасюк, Николай Петрович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2005)Рассчитаны фактор оптического ограничения и внутренние оптические потери, обусловленные поглощением в подложке, для квантоворазмерных гетероструктур с активной областью в виде квантовых точек CdSe/ZnSe, излучающих в зеленой области спектра. Предложен дизайн гетероструктур в случае несимметричного ...2021-03-30
-
Метод расчета экситонных спектров отражения
Тарасюк, Николай Петрович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2000)Рассмотрен метод расчета экситонных спектров отражения на примере нанокристаллов GaN и CuInSe₂ при помощи одно- и двухосцилляторной моделей с учетом ”мертвого” слоя.2020-05-04
-
Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора
Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Кушнер, Татьяна Леонидовна; Тарасюк, Николай Петрович; Чугунов, Сергей Владимирович (БрГТУ, 2023)Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, ...2023-04-17
-
Расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах
Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2007)Приводится расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах. Представлено и обсуждается соответствие измеренной интенсивности излучения в дальней зоне с рассчитанной при различных коэффициентах наклона, применяемых разными авторами. Для характеристики ...2021-03-05
-
Сравнение точности основных численных методов расчета волноводов с помощью пакета MATHEMATICA
Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2009)Представлены три наиболее популярных численных метода расчета волноводов: метод матриц переноса, метод конечных разностей и метод конечных элементов. На примере простой модели трехслойного плоского волновода с активной областью GaAs проведено сравнение точности вычислений эффективных показателей ...2020-09-03
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe c варизонным волноводом и широким верхним обкладочным слоем ZnMgSSe для оптически накачиваемых лазеров
Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2014)Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Для уменьшения влияния поверхности гетероструктуры увеличена ...2019-08-21
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe с варизонным волноводом для оптически накачиваемых лазеров
Тарасюк, Николай Петрович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2012)Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Проведено сравнение фактора оптического ограничения, удельного ...2019-08-29
-
Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных гетероструктурах InGaN/GaN, выращенных на кремниевых подложках
Тарасюк, Николай Петрович; Гладыщук, Анатолий Антонович; Луценко, Е. В. (БрГТУ, 2002)Применение квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN является перспективным для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой — сине-зеленой области спектра. Особую актуальность это направление приобрело в связи с тем, что недавно была получена генерация в синей области спектра на ...2021-03-26
-
Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках
Тарасюк, Николай Петрович; Гладыщук, Анатолий Антонович (БрГТУ, 2004)Анализируются расчеты максимального фактора оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, излучающих в синей и зеленой областях спектра. Расчеты проведены в приближении ...2021-03-26