Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках

Abstract

Анализируются расчеты максимального фактора оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, излучающих в синей и зеленой областях спектра. Расчеты проведены в приближении плоских волн для случая ТЕмод с использованием многослойной модели.