Search
Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках
View/
Date
2004Publisher
БрГТУUDC
535.337Citation
Тарасюк, Н. П. Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках / Н. П. Тарасюк, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2004. – № 5. – С. 19–21.Abstract
Анализируются расчеты максимального фактора оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых лазеров на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на сапфировых подложках, излучающих в синей и зеленой областях спектра. Расчеты проведены в приближении плоских волн для случая ТЕмод с использованием многослойной модели.
Collection
- 2004 [24]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.