Поиск по всему репозиторию:

Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
DOI
https://doi.org/10.36773/1818-1112-2023-130-1-76-81
Автор
Дата издания
2023
Издательство
БрГТУ
УДК
621.383.52
Библиографическое описание
Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. – 2023. – № 1 (130). – С. 76–81.
Аннотация
Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование в них физических процессов. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора на основе AlxGa1-xN, включающая его вольт-амперную характеристику и другие параметры.
Аннотация на другом языке
AlGaN ternary alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction field-effect transistor (FET) based on AlxGa1-xN was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its current-voltage characteristic and other parameters.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/33276
Документ расположен в коллекции