Поиск по всему репозиторию:

Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGan/Gan, оптимизированных под фундаментальную моду

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2016
Издательство
БрГТУ
УДК
535:621.373.8
Библиографическое описание
Тарасюк, Н. П. Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGaN/Gan, оптимизированных под фунаментальную моду / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2016. – № 5. – С. 49–53 : ил. – Библиогр.: с. 53 (7 назв.).
Аннотация
Гетероструктуры InGaN/GaN являются перспективными для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой – сине-зеленой области спектра. Благодаря более короткой длине волны синие лазеры обеспечивают более высокую плотность записи данных. Одно из возможных применений лазеров в зеленой области спектров – информационные линии короткой протяженности на пластиковых световодах. В данной работе проводится оптимизация по фактору оптического ограничения различных дизайнов гетероструктур c активной областью, содержащей пять и десять квантовых ям InGaN.
Аннотация на другом языке
Heterostructures of InGaN/GaN are perspective for creation of the laser devices working in ultra-violet – dark cyan area of a range. Thanks to shorter wavelength blue lasers provide more high density of data record. One of possible laser applications in green area of ranges – information lines of short expansion on plastic light waveguides. In this operation optimization on a factor of optical restriction of different designs of heterostructures with the active area containing five and ten quantum holes of InGaN is performed.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/880
Документ расположен в коллекции