Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributorBrest State Technical Universityru_RU
dc.contributorБрестский государственный технический университетru_RU
dc.contributor.authorТарасюк, Николай Петрович
dc.contributor.authorЛуценко, Евгений Викторович
dc.contributor.authorГладыщук, Анатолий Антонович
dc.coverage.spatialБрестru_RU
dc.date.accessioned2019-08-20T09:08:56Z
dc.date.available2019-08-20T09:08:56Z
dc.date.issued2016
dc.identifier.citationТарасюк, Н. П. Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGaN/Gan, оптимизированных под фунаментальную моду / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2016. – № 5. – С. 49–53 : ил. – Библиогр.: с. 53 (7 назв.).ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/880
dc.descriptionTARASYUK N. P., LUTSENKO E. V., GLADYSHCHUK A. A. Influence on the factor of optical restriction of wavelength of radiation, number of the mode and design for heterostructures of InGaN/GaN optimized under the fundamental moderu_RU
dc.description.abstractГетероструктуры InGaN/GaN являются перспективными для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой – сине-зеленой области спектра. Благодаря более короткой длине волны синие лазеры обеспечивают более высокую плотность записи данных. Одно из возможных применений лазеров в зеленой области спектров – информационные линии короткой протяженности на пластиковых световодах. В данной работе проводится оптимизация по фактору оптического ограничения различных дизайнов гетероструктур c активной областью, содержащей пять и десять квантовых ям InGaN.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГТУru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика, математика, информатика;
dc.subjectоптикаru_RU
dc.subjectopticsru_RU
dc.subjectрадиотехникаru_RU
dc.subjectradio engineeringru_RU
dc.titleВлияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGan/Gan, оптимизированных под фундаментальную модуru_RU
dc.typeСтатья (Article)ru_RU
dc.identifier.udc535:621.373.8ru_RU
dc.abstract.alternativeHeterostructures of InGaN/GaN are perspective for creation of the laser devices working in ultra-violet – dark cyan area of a range. Thanks to shorter wavelength blue lasers provide more high density of data record. One of possible laser applications in green area of ranges – information lines of short expansion on plastic light waveguides. In this operation optimization on a factor of optical restriction of different designs of heterostructures with the active area containing five and ten quantum holes of InGaN is performed.ru_RU


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание