dc.contributor | Brest State Technical University | ru_RU |
dc.contributor | Брестский государственный технический университет | ru_RU |
dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
dc.contributor.author | Луценко, Евгений Викторович | |
dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
dc.date.accessioned | 2019-08-20T09:08:56Z | |
dc.date.available | 2019-08-20T09:08:56Z | |
dc.date.issued | 2016 | |
dc.identifier.citation | Тарасюк, Н. П. Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGaN/Gan, оптимизированных под фунаментальную моду / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук
// Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2016. – № 5. – С. 49–53 : ил. – Библиогр.: с. 53 (7 назв.). | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/880 | |
dc.description | TARASYUK N. P., LUTSENKO E. V., GLADYSHCHUK A. A. Influence on the factor of optical restriction of wavelength of radiation, number of the mode and design for heterostructures of InGaN/GaN optimized under the fundamental mode | ru_RU |
dc.description.abstract | Гетероструктуры InGaN/GaN являются перспективными для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой – сине-зеленой области спектра. Благодаря более короткой длине волны синие лазеры обеспечивают более высокую плотность записи данных. Одно из возможных применений лазеров в зеленой области
спектров – информационные линии короткой протяженности на пластиковых световодах.
В данной работе проводится оптимизация по фактору оптического ограничения различных дизайнов гетероструктур c активной областью, содержащей пять и десять квантовых ям InGaN. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БрГТУ | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | Физика, математика, информатика; | |
dc.subject | оптика | ru_RU |
dc.subject | optics | ru_RU |
dc.subject | радиотехника | ru_RU |
dc.subject | radio engineering | ru_RU |
dc.title | Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGan/Gan, оптимизированных под фундаментальную моду | ru_RU |
dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
dc.identifier.udc | 535:621.373.8 | ru_RU |
dc.abstract.alternative | Heterostructures of InGaN/GaN are perspective for creation of the laser devices working in ultra-violet – dark cyan area of a range. Thanks to shorter wavelength blue lasers provide more high density of data record. One of possible laser applications in green area of ranges – information lines of short expansion on plastic light waveguides.
In this operation optimization on a factor of optical restriction of different designs of heterostructures with the active area containing five and ten quantum holes of InGaN is performed. | ru_RU |