Поиск по всему репозиторию:
Светоизлучающие структуры и лазеры на основе GaN
Открыть/скачать файлы документа
Дата издания
2001Издательство
БрГТУУДК
535.337Библиографическое описание
Светоизлучающие структуры и лазеры на основе GaN / Е. В. Луценко [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2001. – № 5. – С. 2–10. – Библиогр.: с. 10 (13 назв.).Аннотация
В данной работе обобщены исследования по генерации гетероструктур эпитаксикальных слоев и диодов на основе GaN. В настоящее время в мире проводится интенсивное изучение светоизлучающих структур и лазеров на основе GaN с целью разработки полупроводниковых источников излучения в синей области спектра. Приведенные результаты исследований представляют практический интерес широкому кругу исследователей.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/6129Документ расположен в коллекции
- 2001 [38]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.