Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributor.authorЛуценко, Евгений Викторович
dc.contributor.authorПавловский, В. Н.
dc.contributor.authorЗубелевич, В. З.
dc.contributor.authorЯблонский, Геннадий Петрович
dc.contributor.authorМудрый, А. В.
dc.contributor.authorСтогний, А. И.
dc.contributor.authorГладыщук, Анатолий Антонович
dc.contributor.authorМамакин, С. С.
dc.contributor.authorЮнович, А. Э.
dc.contributor.authorProtzmann, H.
dc.contributor.authorSchineller, B.
dc.contributor.authorHeuken, M.
dc.coverage.spatialБрестru_RU
dc.date.accessioned2020-06-19T06:24:38Z
dc.date.available2020-06-19T06:24:38Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationСветоизлучающие структуры и лазеры на основе GaN / Е. В. Луценко [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2001. – № 5. – С. 2–10. – Библиогр.: с. 10 (13 назв.).ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/6129
dc.descriptionLutsenko, E. V.; Pavlovsky, V. N.; Zubelevich, V. Z.; Yablonsky, G. P.; Mudryy, A. V.; Stogniy, A. I.; Gladyshchuk, Anatoly Antonovich; Mamakin, S. S.; Yunovich, A. E.; Protzmann, H.; Schineller, B.; Heuken, M. Light-emitting structures and GaN-based lasersru_RU
dc.description.abstractВ данной работе обобщены исследования по генерации гетероструктур эпитаксикальных слоев и диодов на основе GaN. В настоящее время в мире проводится интенсивное изучение светоизлучающих структур и лазеров на основе GaN с целью разработки полупроводниковых источников излучения в синей области спектра. Приведенные результаты исследований представляют практический интерес широкому кругу исследователей.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГТУru_RU
dc.subjectфизикаru_RU
dc.subjectphysicsru_RU
dc.titleСветоизлучающие структуры и лазеры на основе GaNru_RU
dc.typeСтатья (Article)ru_RU
dc.identifier.udc535.337ru_RU


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание