Поиск по всему репозиторию:

Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2018
Издательство
БрГТУ
УДК
535:621.373.8
Библиографическое описание
Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN [Электронный ресурс] / Н. П. Тарасюк [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2018. – № 5. – С. 62–67 : ил. – Библиогр.: с. 65 (4 назв.).
Аннотация
Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN с учетом контактных сопротивлений. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.
URI документа
http://rep.bstu.by/handle/data/407
Документ расположен в коллекции