Search
Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
View/
Date
2018Publisher
БрГТУUDC
535:621.373.8Citation
Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN [Электронный ресурс] / Н. П. Тарасюк [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2018. – № 5. – С. 62–67 : ил. – Библиогр.: с. 65 (4 назв.).Abstract
Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN с учетом контактных сопротивлений. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.
Collection
- 2018 [23]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.