Search
Browsing by Author "Тарасюк, Николай Петрович"
Now showing items 1-20 of 21
-
Визуализация кристаллических решеток в пакете «Mathematica»
(БрГТУ, 2002)В работе рассматриваются способы визуализации кристаллических решеток средствами пакета «Mathematica». Приведены конкретные примеры реализации гранецентрированной кубической решетки, гексагональной элементарной ячейки и решетки типа алмаза.2021-03-26
-
Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
(БрГТУ, 2018)Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN с учетом контактных сопротивлений. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.2019-06-26
-
Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGan/Gan, оптимизированных под фундаментальную моду
(БрГТУ, 2016)Гетероструктуры InGaN/GaN являются перспективными для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой – сине-зеленой области спектра. Благодаря более короткой длине волны синие лазеры обеспечивают более высокую плотность записи данных. Одно из возможных применений лазеров в зеленой ...2019-08-20
-
Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
(БрГТУ, 2017)Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.2019-06-19
-
Дальнее поле излучения гетероструктур с квантовыми ямами INGAN
(БрГТУ, 2021)Тарасюк, Н. П. Дальнее поле излучения гетероструктур с квантовыми ямами INGAN / Н. П. Тарасюк // Физика в учреждениях общего среднего и высшего образования: традиции и инновации : сборник материалов Республиканской научно-методической конференции, посвящённой 55-летию БрГТУ, Брест, Республика Беларусь, ...2022-03-22
-
Дизайн гетероструктур для оптической накачки с активной областью из квантовых точек CdSe в ZnSe матрице и их фактор оптического ограничения
(БрГТУ, 2005)Рассчитаны фактор оптического ограничения и внутренние оптические потери, обусловленные поглощением в подложке, для квантоворазмерных гетероструктур с активной областью в виде квантовых точек CdSe/ZnSe, излучающих в зеленой области спектра. Предложен дизайн гетероструктур в случае несимметричного ...2021-03-30
-
Метод расчета экситонных спектров отражения
(БрГТУ, 2000)Рассмотрен метод расчета экситонных спектров отражения на примере нанокристаллов GaN и CuInSe₂ при помощи одно- и двухосцилляторной моделей с учетом ”мертвого” слоя.2020-05-04
-
Методические указания к лабораторной работе Т-8 "Определение удельной теплоемкости жидкости" по дисциплине "Техническая термодинамика" для студентов специальности 1-70 04 02 "Теплогазоснабжение, вентиляция и охрана воздушного бассейна" дневной формы обучения
(БрГТУ, 2013)Методические указания предназначены для студентов специальности 1 - 70 04 02 «Теплогазоснабжение, вентиляция и охрана воздушного бассейна» дневной формы обучения, выполняющих лабораторные работы по технической термодинамике. Указания содержат теоретические сведения, описание лабораторной установки и ...2024-07-09
-
Методические указания к лабораторной работе Э-13 "Изучение релаксационных колебаний в схеме с неоновой лампой"
(БрГТУ, 2019)Методические указания содержат теоретические сведения, описание лабораторной установки и методики измерений, описание получения вольт-амперной характеристики релаксационных колебаний, определение емкости, контрольные вопросы и рекомендуемую литературу. Лабораторная работа предназначена для студентов ...2024-04-23
-
Моделирование гетеропереходных полевых транзисторов на основе соединения AlGaN
(БрГТУ, 2023)Моделирование гетеропереходных полевых транзисторов на основе соединения AlGaN / Н. Н. Ворсин [и др.] // Физика в учреждениях образования: научные, методические и прикладные аспекты : сборник материалов Республиканской научно-методической конференции, Брест, 12–13 октября 2023 г. / Министерство ...2024-02-29
-
Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора
(БрГТУ, 2023)Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, ...2023-04-17
-
Научная деятельность кафедры физики Брестского государственного технического университета: проекты и партнеры
(БрГТУ, 2019)Научная деятельность кафедры физики Брестского государственного технического университета: проекты и партнеры / М. М. Барковская [и др.] // Инновационные методы преподавания физики в вузе : сборник материалов Республиканской научно-методической конференции, посвященной 70-летию со дня рождения Н. И. ...2020-05-13
-
Применение метода матриц переноса для расчетов многослойных волноводных структур
(БрГТУ, 2023)Тарасюк, Н. П. Применение метода матриц переноса для расчетов многослойных волноводных структур / Н. П. Тарасюк, Е. Н. Тарасюк, В. А. Кузуб // Современные проблемы математики и вычислительной техники : сборник материалов ХIII Республиканской научной конференции молодых ученых и студентов, Брест, 23–24 ...2024-02-23
-
Расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах
(БрГТУ, 2007)Приводится расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах. Представлено и обсуждается соответствие измеренной интенсивности излучения в дальней зоне с рассчитанной при различных коэффициентах наклона, применяемых разными авторами. Для характеристики ...2021-03-05
-
Сравнение точности основных численных методов расчета волноводов с помощью пакета MATHEMATICA
(БрГТУ, 2009)Представлены три наиболее популярных численных метода расчета волноводов: метод матриц переноса, метод конечных разностей и метод конечных элементов. На примере простой модели трехслойного плоского волновода с активной областью GaAs проведено сравнение точности вычислений эффективных показателей ...2020-09-03
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe c варизонным волноводом и широким верхним обкладочным слоем ZnMgSSe для оптически накачиваемых лазеров
(БрГТУ, 2014)Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Для уменьшения влияния поверхности гетероструктуры увеличена ...2019-08-21
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe с варизонным волноводом для оптически накачиваемых лазеров
(БрГТУ, 2012)Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Проведено сравнение фактора оптического ограничения, удельного ...2019-08-29
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур с квантовыми ямами InGaN
(БрГТУ, 2019)Тарасюк, Н. П. Фактор оптического ограничения гетероструктур с квантовыми ямами InGaN / Н. П. Тарасюк // Инновационные методы преподавания физики в вузе : сборник материалов Республиканской научно-методической конференции, посвященной 70-летию со дня рождения Н. И. Чопчица, Брест, 31 октября–1 ноября ...2020-05-12
-
Фактор оптического ограничения и дальнее поле излучения гетероструктур с квантовыми ямами AlGaN
(БрГТУ, 2023)Тарасюк, Н. П. Фактор оптического ограничения и дальнее поле излучения гетероструктур с квантовыми ямами AlGaN / Н. П. Тарасюк // Физика в учреждениях образования: научные, методические и прикладные аспекты : сборник материалов Республиканской научно-методической конференции, Брест, 12–13 октября 2023 ...2024-02-29
-
Фактор оптического ограничения и пороговые условия генерации оптически накачиваемых полупроводниковых лазеров на квантоворазмерных гетероструктурах InGaN/GaN, выращенных на кремниевых подложках
(БрГТУ, 2002)Применение квантоворазмерных гетероструктур InGaN/GaN является перспективным для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой — сине-зеленой области спектра. Особую актуальность это направление приобрело в связи с тем, что недавно была получена генерация в синей области спектра на ...2021-03-26
