Поиск по всему репозиторию:
Просмотр по автору "Яблонский, Геннадий Петрович"
Отображаемые элементы 1-11 из 11
-
Влияние электрического поля и ультрафиолетового излучения на спектры фотолюминесценции нанокристаллов CdS
Ракович, Юрий Петрович; Гладыщук, Анатолий Антонович; Яблонский, Геннадий Петрович; Артемьев, М. В. (БПИ, 1996)Влияние электрического поля и ультрафиолетового излучения на спектры фотолюминесценции нанокристаллов CdS / Ю. П. Ракович [и др.] // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики Беларусь, Брестский ...2021-06-14
-
Внутреннее электрическое поле в монокристаллах А2В6 и направления распространения стримерных разрядов
Луценко, Евгений Викторович; Яблонский, Геннадий Петрович (БПИ, 1996)Луценко, Е. В. Внутреннее электрическое поле в монокристаллах А2В6 и направления распространения стримерных разрядов / Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики ...2021-06-14
-
Краевое излучение эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных методом movpe
Гурский, Александр Леонидович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович; Яблонский, Геннадий Петрович; Таудт, В.; Золльнер, Й.; Хойкен, М. (БПИ, 1996)Краевое излучение эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных методом movpe / А. Л. Гурский [и др.] // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики Беларусь, Брестский политехнический институт ; ...2021-06-14
-
Оптические свойства эпитаксиальных слоев и гетеросгруктур на основе соединений ZnMgSSe
Гурский, Александр Леонидович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович; Яблонский, Геннадий Петрович; Золльнер, Й.; Хойкен, М. (БПИ, 1996)Оптические свойства эпитаксиальных слоев и гетеросгруктур на основе соединений ZnMgSSe / А. Л. Гурский [и др.] // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики Беларусь, Брестский политехнический ...2021-06-14
-
Полупроводниковые лазеры с оптической накачкой на основе гетероструктур ZnSe/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами
Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович; Марко, И. П.; Гурский, Александр Леонидович; Яблонский, Геннадий Петрович; Heuken, М.; Kalisch, Н.; Heime, К. (БПИ, 1998)Полупроводниковые лазеры с оптической накачкой на основе гетероструктур ZnSe/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами / Е. В. Луценко [и др.] // Новые технологии в машиностроении и вычислительной технике : труды X научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов : ...2021-07-02
-
Распределение концентрации неравновесных электронов, дырок и экситонов в приповерхностных слоях сульфида кадмия
Гладыщук, Анатолий Антонович; Долин, В. В.; Ракович, Юрий Петрович; Яблонский, Геннадий Петрович (БПИ, 1992)Распределение концентрации неравновесных электронов, дырок и экситонов в приповерхностных слоях сульфида кадмия / А. А. Гладыщук [и др.] // Тезисы докладов ХХ научно-технической конференции в рамках проблемы «Наука и мир» : в 3 частях / Министерство народного образования Республики Беларусь, Брестский ...2023-08-10
-
Светоизлучающие структуры и лазеры на основе GaN
Луценко, Евгений Викторович; Павловский, В. Н.; Зубелевич, В. З.; Яблонский, Геннадий Петрович; Мудрый, А. В.; Стогний, А. И.; Гладыщук, Анатолий Антонович; Мамакин, С. С.; Юнович, А. Э.; Protzmann, H.; Schineller, B.; Heuken, M. (БрГТУ, 2001)В данной работе обобщены исследования по генерации гетероструктур эпитаксикальных слоев и диодов на основе GaN. В настоящее время в мире проводится интенсивное изучение светоизлучающих структур и лазеров на основе GaN с целью разработки полупроводниковых источников излучения в синей области спектра. ...2020-06-19
-
Спонтанное и стимулированное излучение эпитаксиальных слоев ZnSe, легированных азотом плазменным методом в процессе роста
Гурский, Александр Леонидович; Луценко, Евгений Викторович; Гладыщук, Анатолий Антонович; Яблонский, Геннадий Петрович; Кулак, И. И.; Митьковец, А. И.; Таудт, В.; Хойкен, М. (БПИ, 1996)Спонтанное и стимулированное излучение эпитаксиальных слоев ZnSe, легированных азотом плазменным методом в процессе роста / А. Л. Гурский [и др.] // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики ...2021-06-14
-
Структура линий излучения свободных экситонов в кристаллах CdS
Гладыщук, Анатолий Антонович; Ракович, Юрий Петрович; Яблонский, Геннадий Петрович (БПИ, 1991)Гладыщук, А. А. Структура линий излучения свободных экситонов в кристаллах CdS / А. А. Гладыщук, Ю. П. Ракович, Г. П. Яблонский // Тезисы докладов юбилейной научно-технической конференции, посвященной 25-летию института, Брест, 1991 год : в 2 частях / Министерство народного образования БССР, Брестский ...2023-06-26
-
Структура спектров экситонной люминесценции полупроводниковых соединений А(2)В(6)
Ракович, Юрий Петрович; Яблонский, Геннадий Петрович; Гурский, Александр Леонидович (БПИ, 1996)Ракович, Ю. П. Структура спектров экситонной люминесценции полупроводниковых соединений А(2)В(6) / Ю. П. Ракович, Г. П. Яблонский, А. Л. Гурский // Материалы научно-технической конференции, посвященной 30-летию института : [тезисы докладов] : в 3 частях / Министерство образования и науки Республики ...2021-06-14
-
Электрические разряды в монокристаллах сульфида и селенида цинка
Гладыщук, Анатолий Антонович; Гурский, Александр Леонидович; Луценко, Евгений Викторович; Шульга, Т. С.; Яблонский, Геннадий Петрович (БПИ, 1991)Электрические разряды в монокристаллах сульфида и селенида цинка / A. А. Гладыщук [и др.] // Тезисы докладов юбилейной научно-технической конференции, посвященной 25-летию института, Брест, 1991 год : в 2 частях / Министерство народного образования БССР, Брестский политехнический институт ; редкол.: ...2023-06-26