Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора

Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Кушнер, Татьяна Леонидовна; Луценко, Евгений Викторович; Яблонский, Геннадий Петрович

Поиск по всему репозиторию:

Открыть/скачать файлы документа

Автор

Ворсин, Николай Николаевич
Гладыщук, Анатолий Антонович
Кушнер, Татьяна Леонидовна
Луценко, Евгений Викторович
Яблонский, Геннадий Петрович

Дата издания

2024

УДК

621.383.52

Показать полное описание

Библиографическое описание

Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер [и др.]. – Текст : непосредственный // Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка, матэтамыка. – 2024. – № 2. – С. 28–40. – Библиография: 6 назв.

Аннотация

Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспектив-ным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на GaN позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых при-борах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование физических процессов в них. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора (ГПТ) на основе Alx_Gax_1N, включающая его ВАХ и другие параметры.

Аннотация на другом языке

AlGaN ternary alloys with a band gap of 3,4 to 6,2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction field-effect transistor (FET) based on Alx_Gax_1N was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its CVC and other parameters.