Search
Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора
Citation
Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер [и др.]. – Текст : непосредственный // Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка, матэтамыка. – 2024. – № 2. – С. 28–40. – Библиография: 6 назв.Abstract
Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспектив-ным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на GaN позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых при-борах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование физических процессов в них. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора (ГПТ) на основе Alx_Gax_1N, включающая его ВАХ и другие параметры.
Annotation in another language
AlGaN ternary alloys with a band gap of 3,4 to 6,2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction field-effect transistor (FET) based on Alx_Gax_1N was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its CVC and other parameters.
Collection
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.