Поиск по всему репозиторию:
Полупроводниковые лазеры с оптической накачкой на основе гетероструктур ZnSe/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
1998Издательство
БПИБиблиографическое описание
Полупроводниковые лазеры с оптической накачкой на основе гетероструктур ZnSe/ZnMgSSe/GaAs с квантовыми ямами / Е. В. Луценко [и др.] // Новые технологии в машиностроении и вычислительной технике : труды X научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов : в 2 частях / Министерство образования Республики Беларусь, Брестский политехнический институт, Электронно-механический факультет ; под ред. М. В. Голуба [и др.]. - Брест : БПИ, 1998. – Часть 1. – С. 185–189.URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/19809Документ расположен в коллекции
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.