Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributorБрестский государственный технический университетru_RU
dc.contributorBrest State Technical Universityru_RU
dc.contributor.authorКушнер, Татьяна Леонидовна
dc.contributor.authorЯнусик, Ирина Семеновна
dc.coverage.spatialБрестru_RU
dc.date.accessioned2020-04-09T08:36:08Z
dc.date.available2020-04-09T08:36:08Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationКушнер, Т. Л. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ / Т. Л. Кушнер, И. С. Янусик // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2010. – № 5. – С. 83–86 : ил. – Библиогр.: с. 86 (7 назв.).ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/4813
dc.descriptionKUSCHNER T. L., JANUSIK I. S. Photoelectric properties of the surface-barrier structures In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ru_RU
dc.description.abstractНа монокристаллах тройных соединений созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈. В статье приведены результаты исследований их вольт-амперных характеристик и фотоэлектрических свойств. Данные структуры In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения. Результаты работы внедрены в учебном процессе в дисциплинах “Общая физика” для всех технических специальностей и “Физические основы электронной техники” специальности 1-36 04 02 “Промышленная электроника”.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГТУru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика, математика, информатика;
dc.subjectполупроводникиru_RU
dc.subjectsemiconductorsru_RU
dc.titleФотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ru_RU
dc.typeСтатья (Article)ru_RU
dc.identifier.udc621.315.592ru_RU
dc.abstract.alternativeThe aims of the work are creation of surface-barrier structures In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈. Their volt-ampere characteristics and photoelectric properties are investigated. This structures kan be used for creation of selective phototransformers for natural radiation. The results of this work were introduced into training process in disciplines “Physics” for all engineering specialities and “Physical basis on the electron technology” for 1–36 04 02 “Industrial electronics engineering”.ru_RU


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание