Поиск по всему репозиторию:

Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2010
Издательство
БрГТУ
УДК
621.315.592
Библиографическое описание
Кушнер, Т. Л. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ / Т. Л. Кушнер, И. С. Янусик // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2010. – № 5. – С. 83–86 : ил. – Библиогр.: с. 86 (7 назв.).
Аннотация
На монокристаллах тройных соединений созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈. В статье приведены результаты исследований их вольт-амперных характеристик и фотоэлектрических свойств. Данные структуры In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения. Результаты работы внедрены в учебном процессе в дисциплинах “Общая физика” для всех технических специальностей и “Физические основы электронной техники” специальности 1-36 04 02 “Промышленная электроника”.
Аннотация на другом языке
The aims of the work are creation of surface-barrier structures In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈. Their volt-ampere characteristics and photoelectric properties are investigated. This structures kan be used for creation of selective phototransformers for natural radiation. The results of this work were introduced into training process in disciplines “Physics” for all engineering specialities and “Physical basis on the electron technology” for 1–36 04 02 “Industrial electronics engineering”.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/4813
Документ расположен в коллекции