Search
Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈
View/
Date
2010Publisher
БрГТУUDC
621.315.592Citation
Кушнер, Т. Л. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ / Т. Л. Кушнер, И. С. Янусик // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2010. – № 5. – С. 83–86 : ил. – Библиогр.: с. 86 (7 назв.).Abstract
На монокристаллах тройных соединений созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈. В статье приведены результаты исследований их вольт-амперных характеристик и фотоэлектрических свойств. Данные структуры In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈ могут использоваться для создания широкополосных фотопреобразователей естественного излучения. Результаты работы внедрены в учебном процессе в дисциплинах “Общая физика” для всех технических специальностей и “Физические основы электронной техники” специальности 1-36 04 02 “Промышленная электроника”.
Annotation in another language
The aims of the work are creation of surface-barrier structures In/Culn₃Se₅, In/CuGa₃Se₅, In/CuGa₅Se₈. Their volt-ampere characteristics and photoelectric properties are investigated. This structures kan be used for creation of selective phototransformers for natural radiation. The results of this work were introduced into training process in disciplines “Physics” for all engineering specialities and “Physical basis on the electron technology” for 1–36 04 02 “Industrial electronics engineering”.
Collection
- 2010 [30]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.