| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Луценко, Евгений Викторович | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2019-06-19T08:22:05Z | |
| dc.date.available | 2019-06-19T08:22:05Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Тарасюк, Н. П. Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN [Электронный ресурс] / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2017. – № 5. – С. 59–64 : ил. – Библиогр.: с. 64 (3 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://rep.bstu.by/handle/data/381 | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГТУ | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика, математика, информатика; | |
| dc.subject | квантовые генераторы | ru_RU |
| dc.subject | оптика | ru_RU |
| dc.title | Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 535:621.373.8 | ru_RU |
