Поиск по всему репозиторию:

Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2017
Издательство
БрГТУ
УДК
535:621.373.8
Библиографическое описание
Тарасюк, Н. П. Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN [Электронный ресурс] / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2017. – № 5. – С. 59–64 : ил. – Библиогр.: с. 64 (3 назв.).
Аннотация
Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.
URI документа
http://rep.bstu.by/handle/data/381
Документ расположен в коллекции