Search
Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
View/
Date
2017Publisher
БрГТУUDC
535:621.373.8Citation
Тарасюк, Н. П. Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN [Электронный ресурс] / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2017. – № 5. – С. 59–64 : ил. – Библиогр.: с. 64 (3 назв.).Abstract
Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.
Collection
- 2017 [24]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.