Поиск по всему репозиторию:

Влияние теплового расширения кристаллической решетки на ширину запрещенной зоны полупроводников CUIN₃SE₅ и CUGA₃SE₅

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2011
Издательство
БрГТУ
УДК
536.3:539.21-17
Библиографическое описание
Кушнер, Т. Л. Влияние теплового расширения кристаллической решетки на ширину запрещенной зоны полупроводников CUIN₃SE₅ и CUGA₃SE₅ / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2011. – № 5. – C. 99–102.
Аннотация
Зависимости ширины запрещенной зоны от температуры для полупроводников Culn₃Se₅ и CuGa₃Se₅ были проанализированы с помощью модели, которая учитывает как электрон-фононное взаимодействие, так и тепловое расширение кристаллической решетки. В отличие от предыдущих исследований, где использовалась простая степенная функция, был принят во внимание вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны указанных соединений. Путем фиттинга был определен параметр 0, связанный с основной частотой фононов, которые влияют на «сужение» запрещенной зоны.
Аннотация на другом языке
The temperature dependence of the optical band gap Eg in bulk crystals CuIn3Se5 and CuGa3Se5 has been analyzed by separately considering the contributions due to electron-phonon interaction and thermal expansion. For the former contributions, we use an expression related to the mean frequency of phonons, defined by temperature Q , that participate in the shift of the fundamental energy gap with temperature. For the latter, a term that explicitly takes into account the temperature variation of the thermal expansion coefficient and the pressure dependence of the band gap is employed.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/1120
Документ расположен в коллекции