Search
Влияние теплового расширения кристаллической решетки на ширину запрещенной зоны полупроводников CUIN₃SE₅ и CUGA₃SE₅
View/
Date
2011Publisher
БрГТУUDC
536.3:539.21-17Citation
Кушнер, Т. Л. Влияние теплового расширения кристаллической решетки на ширину запрещенной зоны полупроводников CUIN₃SE₅ и CUGA₃SE₅ / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2011. – № 5. – C. 99–102.Abstract
Зависимости ширины запрещенной зоны от температуры для полупроводников
Culn₃Se₅ и CuGa₃Se₅ были проанализированы с помощью
модели, которая учитывает как электрон-фононное взаимодействие,
так и тепловое расширение кристаллической решетки. В отличие от предыдущих исследований, где использовалась простая степенная функция, был принят во внимание вклад теплового расширения решетки
в температурные изменения ширины запрещенной зоны указанных
соединений. Путем фиттинга был определен параметр 0, связанный с основной частотой фононов, которые влияют на «сужение» запрещенной зоны.
Annotation in another language
The temperature dependence of the optical band gap Eg in bulk crystals CuIn3Se5 and CuGa3Se5 has been analyzed by separately considering the
contributions due to electron-phonon interaction and thermal expansion. For the former contributions, we use an expression related to the mean frequency
of phonons, defined by temperature Q , that participate in the shift of the fundamental energy gap with temperature. For the latter, a term that
explicitly takes into account the temperature variation of the thermal expansion coefficient and the pressure dependence of the band gap is employed.
Collection
- 2011 [31]
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.