Поиск по всему репозиторию:

Моделирование критических режимов работы мощных диодных лазеров

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2012
Издательство
БрГТУ
УДК
539.293;621.382
Библиографическое описание
Паращук, В. В. Моделирование критических режимов работы мощных диодных лазеров / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Vu Doan Mien // Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2012. – №5. – С. 56–65.
Аннотация
Численно и аналитически в трехмерном приближении промоделировано влияние термоупругих напряжений в системе лазерный диод-теплоотвод (контактный слой), возникающих вследствие пространственной неоднородности теплового поля, на выходные характеристики прибора при различных режимах работы. Изучена зависимость критической плотности тока накачки от длительности импульса, геометрии и теплофизических параметров лазерной системы, в том числе для современных теплопередающих материалов подложки (алмаз, кубический нитрид бора). В рамках рассматриваемого подхода найдены оптимальные условия по качеству позиционирования (посадки) лазерного кристалла на теплоотводящую подложку и процесса сборки диодных лазеров в целом.
Аннотация на другом языке
Numerically and analytically in three-dimensional approached simulated the influence of thermoelastic stress in system a laser diode - heatsink (contact layer), occurred owing to spatial inhomogeneity of a thermal field, on output characteristics of the device at various operating modes. Dependence of critical density of a pumping current from duration of a pulse, geometry and thermophysical parameters of laser system, including for modern heat-transmitting materials of a substrate (diamond, boron cubic nitride) is investigated. Within the framework of the considered approach optimum conditions on quality of positioning planting a laser crystal on a heatsink substrate and process of assembly of diode lasers as a whole are found.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/1048
Документ расположен в коллекции