| dc.contributor | Брестский государственный технический университет | ru_RU |
| dc.contributor | Brest State Technical University | ru_RU |
| dc.contributor.author | Паращук, Валентин Владимирович | |
| dc.contributor.author | Русаков, Константин Иванович | |
| dc.contributor.author | Vu Doan Mien | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2019-08-29T06:00:54Z | |
| dc.date.available | 2019-08-29T06:00:54Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Паращук, В. В. Моделирование критических режимов работы мощных диодных лазеров / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Vu Doan Mien
// Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2012. – №5. – С. 56–65. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/1048 | |
| dc.description | PARASHCHUK V.V., RUSAKOV K.I., VU DOAN MIEN Modelling of critical operating mode of powerful diode lasers | ru_RU |
| dc.description.abstract | Численно и аналитически в трехмерном приближении промоделировано влияние термоупругих напряжений в системе лазерный диод-теплоотвод (контактный слой), возникающих вследствие пространственной неоднородности теплового поля, на выходные характеристики
прибора при различных режимах работы. Изучена зависимость критической плотности тока накачки от длительности импульса, геометрии и
теплофизических параметров лазерной системы, в том числе для
современных теплопередающих материалов подложки (алмаз, кубический нитрид бора). В рамках рассматриваемого подхода найдены
оптимальные условия по качеству позиционирования (посадки) лазерного кристалла на теплоотводящую подложку и процесса сборки диодных лазеров в целом. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГТУ | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика, математика, информатика; | |
| dc.subject | строение материи | ru_RU |
| dc.subject | электроника | ru_RU |
| dc.subject | лазеры | ru_RU |
| dc.subject | structure of matter | ru_RU |
| dc.subject | electronics | ru_RU |
| dc.subject | lasers | ru_RU |
| dc.title | Моделирование критических режимов работы мощных диодных лазеров | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 539.293;621.382 | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | Numerically and analytically in three-dimensional approached simulated the influence of thermoelastic stress in system a laser diode - heatsink
(contact layer), occurred owing to spatial inhomogeneity of a thermal field, on output characteristics of the device at various operating modes. Dependence
of critical density of a pumping current from duration of a pulse, geometry and thermophysical parameters of laser system, including for modern
heat-transmitting materials of a substrate (diamond, boron cubic nitride) is investigated. Within the framework of the considered approach optimum
conditions on quality of positioning planting a laser crystal on a heatsink substrate and process of assembly of diode lasers as a whole are found. | ru_RU |
