Выращивание кристаллов и структурные исследования CuIn₃Se₅

Abstract

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройного соединения CuIn₃Se₅, которые являются перспективными материалами для изготовления солнечных элементов и светодиодов линейно поляризованного излучения. Согласно данным химического анализа состав выращенных кристаллов соответствует формульному. Рентгеноструктурные исследования показали, что CuIn₃Se₅ кристаллизуется в тетрагональную структуру типа халькопирита с параметрами элементарной ячейки при комнатной температуре а=0,57557 нм и с=1,1514 нм, близкими к величинам, приводимым в литературе.