Математическая модель расчета спектров отражения свободных экситонов и поляритонов с учетом пространственной дисперсии

Abstract

Представлена методика расчета спектра отражения свободных экситонов и поляритонов с учетом пространственной дисперсии с использованием многослойной модели приповерхностной области полупроводника. Из сравнения экспериментальных и расчетных контуров спектра отражения определены значения энергии экситонного резонанса и параметра затухания свободных экситонов. В рамках использованной модели сделаны оценки характеристик области пространственного заряда.