| dc.contributor.author | Ворсин, Николай Николаевич | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.contributor.author | Луценко, Евгений Викторович | |
| dc.contributor.author | Яблонский, Геннадий Петрович | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-17T13:19:50Z | |
| dc.date.available | 2025-02-17T13:19:50Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер [и др.]. – Текст : непосредственный // Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка, матэтамыка. – 2024. – № 2. – С. 28–40. – Библиография: 6 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/47266 | |
| dc.description | Nikolai Vorsin, Anatolii Gladyschuk, Tatsiana Kushner, Evgenii Lutsenko, Gennadii Yablonskii. Modeling AlGaN Heterojunction Field-Effect Transistor | ru_RU |
| dc.description.abstract | Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспектив-ным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на GaN позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых при-борах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование физических процессов в них. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора (ГПТ) на основе Alx_Gax_1N, включающая его ВАХ и другие параметры. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.subject | гетеропереходный полевой транзистор | ru_RU |
| dc.subject | Heterojunction field-effect transistor | ru_RU |
| dc.subject | диффузионно-дрейфовая модель | ru_RU |
| dc.subject | diffusion-drift model | ru_RU |
| dc.subject | метод градиента электронной плотности | ru_RU |
| dc.subject | electron density gradient method | ru_RU |
| dc.title | Моделирование AlGaN гетеропереходного полевого транзистора | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.383.52 | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | AlGaN ternary alloys with a band gap of 3,4 to 6,2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction field-effect transistor (FET) based on Alx_Gax_1N was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its CVC and other parameters. | ru_RU |
