Search

Show simple item record

dc.contributor.authorВорсин, Николай Николаевич
dc.contributor.authorГладыщук, Анатолий Антонович
dc.contributor.authorКушнер, Татьяна Леонидовна
dc.contributor.authorТарасюк, Николай Петрович
dc.contributor.authorЧугунов, Сергей Владимирович
dc.coverage.spatialБрест
dc.date.accessioned2023-04-17T08:13:13Z
dc.date.available2023-04-17T08:13:13Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationМоделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. – 2023. – № 1 (130). – С. 76–81.
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/33276
dc.descriptionN. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov. SIMULATION AND DESIGN AlGaN HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR
dc.description.abstractТройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование в них физических процессов. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора на основе AlxGa1-xN, включающая его вольт-амперную характеристику и другие параметры.
dc.language.isoru
dc.publisherБрГТУ
dc.subjectгетеропереходный полевой транзистор
dc.subjectнитрид галлия
dc.subjectнитрид алюминия
dc.subjectдиффузионно-дрейфовая модель
dc.subjectполяризация
dc.subjectвольт-амперная характеристика
dc.subjectheterojunction field-effect transistor
dc.subjectgallium nitride
dc.subjectaluminum nitride
dc.subjectdiffusion-drift model
dc.subjectpolarization
dc.subjectcurrent-voltage characteristic
dc.titleМоделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора
dc.typeСтатья (Article)
dc.identifier.udc621.383.52
dc.abstract.alternativeAlGaN ternary alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction field-effect transistor (FET) based on AlxGa1-xN was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its current-voltage characteristic and other parameters.
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.36773/1818-1112-2023-130-1-76-81


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record