| dc.contributor.author | Ворсин, Николай Николаевич | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Чугунов, Сергей Владимирович | |
| dc.coverage.spatial | Брест | |
| dc.date.accessioned | 2023-04-17T08:13:13Z | |
| dc.date.available | 2023-04-17T08:13:13Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора / Н. Н. Ворсин [и др.] // Вестник Брестского государственного технического университета. – 2023. – № 1 (130). – С. 76–81. | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/33276 | |
| dc.description | N. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov. SIMULATION AND DESIGN AlGaN HETEROJUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR | |
| dc.description.abstract | Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование в них физических процессов. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора на основе AlxGa1-xN, включающая его вольт-амперную характеристику и другие параметры. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | БрГТУ | |
| dc.subject | гетеропереходный полевой транзистор | |
| dc.subject | нитрид галлия | |
| dc.subject | нитрид алюминия | |
| dc.subject | диффузионно-дрейфовая модель | |
| dc.subject | поляризация | |
| dc.subject | вольт-амперная характеристика | |
| dc.subject | heterojunction field-effect transistor | |
| dc.subject | gallium nitride | |
| dc.subject | aluminum nitride | |
| dc.subject | diffusion-drift model | |
| dc.subject | polarization | |
| dc.subject | current-voltage characteristic | |
| dc.title | Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора | |
| dc.type | Статья (Article) | |
| dc.identifier.udc | 621.383.52 | |
| dc.abstract.alternative | AlGaN ternary alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are promising materials for the construction of various electronic devices: diodes, transistors, lasers, microwave circuits. Replacing silicon with GaN allows several times to increase the operating temperature, the cutoff frequency, and to reduce several times the switching and conduction losses in power devices. A necessary element in the development of new electronic devices is computer modeling of physical processes in them. In this work, a model of a heterojunction field-effect transistor (FET) based on AlxGa1-xN was developed using the COMSOL Multiphysics software, including its current-voltage characteristic and other parameters. | |
| dc.identifier.doi | https://doi.org/10.36773/1818-1112-2023-130-1-76-81 | |
