Поиск по всему репозиторию:

Показать краткое описание

dc.contributor.authorКушнер, Татьяна Леонидовна
dc.contributor.authorЧугунов, Сергей Владимирович
dc.coverage.spatialБрест
dc.date.accessioned2021-03-29T09:23:23Z
dc.date.available2021-03-29T09:23:23Z
dc.date.issued2006
dc.identifier.citationКушнер, Т. Л. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8 / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2006. – № 5. – С. 95–99.
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/12701
dc.description.abstractОптические свойства тройных полупроводниковых соединений CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8 изучены достаточно слабо. Наличие прямых межзонных переходов с энергией от 1,0 эВ (для CuIn3Se5) до 1,9 эВ (для CuGa5Se8) при комнатной температуре делает эти материалы перспективными для создания на их основе ряда оптоэлектронных приборов. В настоящей работе рассмотрены результаты экспериментальных исследований оптического поглощения кристаллов CuIn3Se5, CuGa3Se5 и CuGa5Se8 при различных температурах. Температурные зависимости Eg типичны для сложных полупроводниковых соединений. Экспериментальные результаты обработаны при помощи пакета прикладных программ «Mathematica», по формулам, описывающим теоретическую модель Пэсслера.
dc.language.isoru
dc.publisherБрГТУ
dc.titleТемпературная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8
dc.typeСтатья (Article)
dc.identifier.udc535


Файлы в этом документе

Thumbnail

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать краткое описание