Search
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8
![Thumbnail](/bitstream/handle/data/12701/95-99.pdf.jpg?sequence=2&isAllowed=y)
View/ Open document files
Date
2006Publisher
БрГТУUDC
535Citation
Кушнер, Т. Л. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8 / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2006. – № 5. – С. 95–99.Abstract
Оптические свойства тройных полупроводниковых соединений CuIn3Sе5, CuGa3Sе5 и CuGa5Sе8 изучены достаточно слабо. Наличие прямых межзонных переходов с энергией от 1,0 эВ (для CuIn3Se5) до 1,9 эВ (для CuGa5Se8) при комнатной температуре делает эти материалы перспективными для создания на их основе ряда оптоэлектронных приборов. В настоящей работе рассмотрены результаты экспериментальных исследований оптического поглощения кристаллов CuIn3Se5, CuGa3Se5 и CuGa5Se8 при различных температурах. Температурные зависимости Eg типичны для сложных полупроводниковых соединений. Экспериментальные результаты обработаны при помощи пакета прикладных программ «Mathematica», по формулам, описывающим теоретическую модель Пэсслера.
Collection
- 2006 [26]
![Лицензия Creative Commons](https://i.creativecommons.org/l/by-nc/4.0/88x31.png)
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.