Поиск по всему репозиторию:
ПросмотрВестник Брестского государственного технического университета. Физика, математика и информатика по теме "оптика"
Отображаемые элементы 1-9 из 9
-
Влияние контактных сопротивлений на вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
(БрГТУ, 2018)Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN с учетом контактных сопротивлений. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.2019-06-26
-
Влияние на фактор оптического ограничения длины волны излучения, номера моды и дизайна для гетероструктур InGan/Gan, оптимизированных под фундаментальную моду
(БрГТУ, 2016)Гетероструктуры InGaN/GaN являются перспективными для создания лазерных устройств, работающих в ультрафиолетовой – сине-зеленой области спектра. Благодаря более короткой длине волны синие лазеры обеспечивают более высокую плотность записи данных. Одно из возможных применений лазеров в зеленой ...2019-08-20
-
Вольт-амперные характеристики hemt-транзисторов на основе GaN
(БрГТУ, 2017)Представлены результаты расчетов вольт-амперных характеристик HEMT-транзисторов на основе GaN. Проведено сравнение вольтамперных характеристик HEMT-транзисторов при различной толщине GaN и различных концентрациях Al.2019-06-19
-
Оптические процессы в микрорезонаторах с J-агрегатами
(БрГТУ, 2013)Исследованы моды шепчущей галереи в диэлектрических микрорезонаторах, покрытых тонкой оболочкой J-агрегатов цианинового красителя ТТВС и нанокристаллами серебра. Показана возможность управления плотностью и добротностью мод в результате взаимодействия плазмонов металлических наночастиц и экситонных ...2019-08-28
-
Сравнение точности основных численных методов расчета волноводов с помощью пакета MATHEMATICA
(БрГТУ, 2009)Представлены три наиболее популярных численных метода расчета волноводов: метод матриц переноса, метод конечных разностей и метод конечных элементов. На примере простой модели трехслойного плоского волновода с активной областью GaAs проведено сравнение точности вычислений эффективных показателей ...2020-09-03
-
Сферические микрорезонаторы с цианиновой оболочкой
(БрГТУ, 2012)Исследованы моды шепчущей галереи в диэлектрических микрорезонаторах, покрытых тонкой оболочкой молекул цианинового красителя ТТВС. Результаты спектроскопии высокого разрешения подтверждают сильную оптическую связь J-агрегатов красителя с модами резонатора и демонстрируют особенности эмиссии на ...2019-08-28
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe c варизонным волноводом и широким верхним обкладочным слоем ZnMgSSe для оптически накачиваемых лазеров
(БрГТУ, 2014)Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Для уменьшения влияния поверхности гетероструктуры увеличена ...2019-08-21
-
Фактор оптического ограничения гетероструктур ZnMgCdSSe с варизонным волноводом для оптически накачиваемых лазеров
(БрГТУ, 2012)Представлены результаты расчетов фактора оптического ограничения для гетероструктур ZnMgCdSSe. Для увеличения эффективности транспорта неравновесных носителей заряда в активную область предложен дизайн гетероструктур с варизонным волноводом. Проведено сравнение фактора оптического ограничения, удельного ...2019-08-29
-
Фотонные атомы с J-агрегатами
(БрГТУ, 2011)Исследованы моды шепчущей галереи в диэлектрических микрорезонаторах, покрытых тонкой оболочкой J-агрегатов молекул органического красителя псевдоизоцианина. Результаты микрофотолюминесцентной спектроскопии высокого разрешения подтверждают сильную оптическую связь J-агрегатов с модами резонатора к ...2019-09-03