Search

Show simple item record

dc.contributorБрестский государственный технический университетru_RU
dc.contributorBrest State Technical Universityru_RU
dc.contributor.authorКушнер, Татьяна Леонидовна
dc.contributor.authorЧугунов, Сергей Владимирович
dc.coverage.spatialБрестru_RU
dc.date.accessioned2019-08-29T07:10:33Z
dc.date.available2019-08-29T07:10:33Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationКушнер, Т. Л. Вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны полупроводника CuGa5Se8 / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов // Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2012. – № 5. – С. 48–51.ru_RU
dc.identifier.urihttps://rep.bstu.by/handle/data/1054
dc.descriptionKUSCHNER T.L. СHUGUNOV S.V. Contributions of thermal expansion on the changes in temperature of the optical band gap in semiconductor CuGa5Se8ru_RU
dc.description.abstractЗависимости ширины запрещенной зоны от температуры для монокристаллов CuGa5Se8 были проанализированы с помощью модели, которая учитывает как электрон-фононное взаимодействие, так и тепловое расширение кристаллической решетки. Обнаружено, что на температурные изменения ширины запрещенной зоны влияют в основном оптические фононы с эффективной энергией равной приблизительно 16 мэВ. Из значений параметра Θ была рассчитана температура Дебая, значение которой хорошо согласуется с данными, полученными ранее из температурных рентгеновских измерений.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБрГТУru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика, математика, информатика;
dc.subjectтермодинамикаru_RU
dc.subjectстатистическая физикаru_RU
dc.subjectтепловое излучениеru_RU
dc.subjectсвойства твердого телаru_RU
dc.subjectмолекулярные системыru_RU
dc.subjectthermodynamicsru_RU
dc.subjectstatistical physicsru_RU
dc.subjectthermal radiationru_RU
dc.subjectsolid propertiesru_RU
dc.subjectmolecular systemsru_RU
dc.titleВклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны полупроводника CuGa5Se8ru_RU
dc.typeСтатья (Article)ru_RU
dc.identifier.udc536.3:539.21-17ru_RU
dc.abstract.alternativeThe temperature dependence of the optical band gap Eg in bulk crystals CuGa5Se8 has been analyzed by separately considering the contributions due to electron-phonon interaction and thermal expansion. It is found that the variation of the optical band gap with temperature is mainly due to the contribution of optical phonons with a characteristic phonon energy of about 16 meV. The Debye temperature is defined by parameters Θ obtained from the theoretical fit. The value is in good agreement with reported for the compound CuGa5Se8 earlier and obtained from the x-ray powder diffraction measurements at various temperatures.ru_RU


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record