Search

Now showing items 1-1 of 1

    • Моделирование и разработка AlGaN гетеропереходного полевого транзистора 

      Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Кушнер, Татьяна Леонидовна; Тарасюк, Николай Петрович; Чугунов, Сергей Владимирович (БрГТУ, 2023)
      Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на нитрид галлия позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, ...

      2023-04-17