Об акустоэлектронном механизме кристаллографической ориентации неполного электрического пробоя

Abstract

При интерпретации акустоэлектронного механизма направленности стримерных разрядов в приближении линейного пьезоэлектрического эффекта для гексагональных полупроводников важен полный анализ поверхностей рефракции (как поверхности 6-го порядка). Соответствующие направления фокусировки фононов обусловлены не только быстрыми поперечными акустическими модами, как следует из данных выполненной ранее проверки, но и медленными волнами. Это усиливает противоречивость следствий теоретических предпосылок и требует учета нелинейных эффектов – в первую очередь влияния сильного электрического поля, точности измерения используемых в расчете данных и влияния на них различных внешних факторов, а также анализа более информативных поверхностей лучевых скоростей.