| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2020-06-18T09:13:02Z | |
| dc.date.available | 2020-06-18T09:13:02Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.citation | Кушнер, Т. Л. Выращивание кристаллов тройных соединений CuGa₃Se₅ и исследование их структуры / Т. Л. Кушнер // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2001. – № 5. – С. 30–31. – Библиогр.: с. 31 (1 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/6120 | |
| dc.description | Kushner, T. L. Crystal growth of ternary compounds CuGa₃Se₅ and study of their structure | ru_RU |
| dc.description.abstract | Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuGa₃Se₅. Согласно данным химического анализа состав выращенных монокристаллов соответствует формульному. При помощи рентгеноструктурных исследований определены параметры кристаллической решетки соединения CuGa₃Se₅. Установлено, что данное соединение кристаллизуется в структуре дефектного халькопирита с параметрами элементарной ячейки а=0,5496 нм и с=1,0993 нм при комнатной температуре. Из-за различия размеров двух типов катионов кристаллическая решетка трехкомпонентных соединений АⅠBⅠⅠⅠCⅥ приобретает дополнительное искажение определяемое параметром δ=2-(с/а). Тетрагональное искажение кристаллической решетки соединения CuGa₃Se₅ δ= -0,0002. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГТУ | ru_RU |
| dc.subject | физика | ru_RU |
| dc.subject | physics | ru_RU |
| dc.title | Выращивание кристаллов тройных соединений CuGa₃Se₅ и исследование их структуры | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 536.413 | ru_RU |
