Выращивание кристаллов тройных соединений CuGa₃Se₅ и исследование их структуры

Abstract

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuGa₃Se₅. Согласно данным химического анализа состав выращенных монокристаллов соответствует формульному. При помощи рентгеноструктурных исследований определены параметры кристаллической решетки соединения CuGa₃Se₅. Установлено, что данное соединение кристаллизуется в структуре дефектного халькопирита с параметрами элементарной ячейки а=0,5496 нм и с=1,0993 нм при комнатной температуре. Из-за различия размеров двух типов катионов кристаллическая решетка трехкомпонентных соединений АⅠBⅠⅠⅠCⅥ приобретает дополнительное искажение определяемое параметром δ=2-(с/а). Тетрагональное искажение кристаллической решетки соединения CuGa₃Se₅ δ= -0,0002.