| dc.contributor.author | Ворсин, Николай Николаевич | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Чугунов, Сергей Владимирович | |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2025-04-17T12:55:58Z | |
| dc.date.available | 2025-04-17T12:55:58Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.citation | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN = Modeling AlGaN heterojunction field-effect transistor / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк, С. В. Чугунов. – Текст : непосредственный // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редколлегия: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск : БГУИР, 2024. – ISBN 978-985-543-789-6. – С. 50–53. – Библиография: 5 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/48014 | |
| dc.description | Vorsin, Nikolai Nikolaevich; Gladyshchuk, Anatoly Antonovich; Kushner, Tatyana Leonidovna; Tarasyuk, Nikolai Petrovich; Chugunov, Sergey Vladimirovich. Simulation of a high-power field-effect transistor based on AlGaN | ru_RU |
| dc.description.abstract | Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ микросхем. Замена кремния на GaN позволяет повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Компьютерное моделирование физических процессов является необходимым элементом освоения новых электронных устройств. В настоящей работе представлены результаты моделирования мощного полевого транзистора на основе полупроводникового соединения AlGaN. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.title | Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN | ru_RU |
| dc.type | Научный доклад (Working Paper) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.383.52 | ru_RU |
