Search
Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN
View/
Date
2024Publisher
БГУИРUDC
621.383.52Citation
Моделирование мощного полевого транзистора на основе AlGaN = Modeling AlGaN heterojunction field-effect transistor / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк, С. В. Чугунов. – Текст : непосредственный // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : cборник трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 28 ноября 2024 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редколлегия: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск : БГУИР, 2024. – ISBN 978-985-543-789-6. – С. 50–53. – Библиография: 5 назв.Abstract
Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ микросхем. Замена кремния на GaN позволяет повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Компьютерное моделирование физических процессов является необходимым элементом освоения новых электронных устройств. В настоящей работе представлены результаты моделирования мощного полевого транзистора на основе полупроводникового соединения AlGaN.
Collection
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.