| dc.contributor.author | Чугунов, Сергей Владимирович | |
| dc.contributor.author | Чугунов, Андрей Сергеевич | |
| dc.contributor.author | Чугунова, Элеонора Валерьевна | |
| dc.coverage.spatial | Новополоцк | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2025-04-17T08:22:46Z | |
| dc.date.available | 2025-04-17T08:22:46Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Чугунов, С. В. Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора / С. В. Чугунов, А. С. Чугунов, Э. В. Чугунова. – Текст : непосредственный // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики : электронный сборник статей II международной научно-практической конференции, Новополоцк, 27–28 октября 2022 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой ; ответственный за выпуск Е. И. Галешова. – Новополоцк : ПГУ, 2023. – ISBN 978-985-531-827-0. – С. 80–86. – Библиография: 4 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/48001 | |
| dc.description | Chugunov, Sergey Vladimirovich; Chugunov, Andrey Sergeevich; Chugunova, Eleonora Valerievna. Simulation of a nitride heterojunction field effect transistor | ru_RU |
| dc.description.abstract | В данной работе мы предлагаем рассмотреть результаты моделирования нитридного гетеро-переходного полевого транзистора (ГПТ) или HEMT-транзисторы на основе гетероструктур AlGaN/GaN, реализованную в модуле Semicon-ductor Module программного продукта COMSOL Multiphysics. Для этого мы использовали мультифизический интерфейс уравнения Шредингера-Пуассона, который позволяет моделировать все возможные системы с квантово-ограниченными носителями заряда, такими как квантовые ямы, провода и точки. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | ПГУ им. Евфросинии Полоцкой | ru_RU |
| dc.title | Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора | ru_RU |
| dc.type | Научный доклад (Working Paper) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 539.2:621.3.049.77 | ru_RU |
