Поиск по всему репозиторию:
Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора
Открыть/скачать файлы документа
Дата издания
2023Издательство
ПГУ им. Евфросинии ПолоцкойУДК
539.2:621.3.049.77Библиографическое описание
Чугунов, С. В. Моделирование нитридного гетеро-переходного полевого транзистора / С. В. Чугунов, А. С. Чугунов, Э. В. Чугунова. – Текст : непосредственный // Актуальные проблемы физики, электроники и энергетики : электронный сборник статей II международной научно-практической конференции, Новополоцк, 27–28 октября 2022 г. / Министерство образования Республики Беларусь, Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой ; ответственный за выпуск Е. И. Галешова. – Новополоцк : ПГУ, 2023. – ISBN 978-985-531-827-0. – С. 80–86. – Библиография: 4 назв.Аннотация
В данной работе мы предлагаем рассмотреть результаты моделирования нитридного гетеро-переходного полевого транзистора (ГПТ) или HEMT-транзисторы на основе гетероструктур AlGaN/GaN, реализованную в модуле Semicon-ductor Module программного продукта COMSOL Multiphysics. Для этого мы использовали мультифизический интерфейс уравнения Шредингера-Пуассона, который позволяет моделировать все возможные системы с квантово-ограниченными носителями заряда, такими как квантовые ямы, провода и точки.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/48001Документ расположен в коллекции
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial» («Атрибуция-Некоммерчески») 4.0 Всемирная.