| dc.contributor.author | Ворсин, Николай Николаевич | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Чугунов, Сергей Владимирович | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2025-04-17T07:47:08Z | |
| dc.date.available | 2025-04-17T07:47:08Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Моделирование и разработка AlGaN p-i-n фотодиодов = Modelling and development of AlGaN p-i-n-photodiodes / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк, С. В. Чугунов. – Текст : непосредственный // Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка. – 2020. – № 1. – С. 5–14. – Библиография: 15 назв. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/47998 | |
| dc.description | Vorsin, Nikolay Nikolaevich; Gladyshchuk, Anatoly Antonovich; Kushner, Tatyana Leonidovna; Tarasyuk, Nikolay Petrovich; Chugunov, Sergey Vladimirovich. Modeling and development of AlGaN p-i-n photodiodes | ru_RU |
| dc.description.abstract | Тройные сплавы AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ весьма перспективны для фотоприемных устройств УФ диапазона длин волн. С помощью программного обеспечения Comsol на основе AlxGax-1N разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствительность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт при длинах волн 0,2–0,33 мкм. Это соответствует экспериментальным результатам, взятым из литературы. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГУ им. А. С. Пушкина | ru_RU |
| dc.title | Моделирование и разработка AlGaN p-i-n фотодиодов | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 621.383.52 | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | AlGaN ternary alloys with a band gap from 3.4 to 6.2 eV are very promising for photodetectors in the UV wavelength range. Using Comsol software based on AlxGax-1N, a p-i-n photodiode model was developed, including its I – V characteristic, spectral sensitivity of received radiation, absorption coefficient as a function of aluminum fraction and depletion layer thickness. The peak sensitivity of the photodiode is from 0.08 to 0.18 A / W at wavelengths of 0.2–0.33 μm. This corresponds to experimental results taken from the literature. | ru_RU |
