Поиск по всему репозиторию:

Моделирование и разработка AlGaN p-i-n фотодиодов

Thumbnail
Открыть/скачать файлы документа
Автор
Дата издания
2020
Издательство
БрГУ им. А. С. Пушкина
УДК
621.383.52
Библиографическое описание
Моделирование и разработка AlGaN p-i-n фотодиодов = Modelling and development of AlGaN p-i-n-photodiodes / Н. Н. Ворсин, А. А. Гладыщук, Т. Л. Кушнер, Н. П. Тарасюк, С. В. Чугунов. – Текст : непосредственный // Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка. – 2020. – № 1. – С. 5–14. – Библиография: 15 назв.
Аннотация
Тройные сплавы AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ весьма перспективны для фотоприемных устройств УФ диапазона длин волн. С помощью программного обеспечения Comsol на основе AlxGax-1N разработана модель p-i-n фотодиода, включая его ВАХ, спектральную чувствительность принимаемого излучения и коэффициента поглощения как функции доли алюминия и толщины обедненного слоя. Пиковая чувствительность фотодиода составляет от 0,08 до 0,18 A/Вт при длинах волн 0,2–0,33 мкм. Это соответствует экспериментальным результатам, взятым из литературы.
Аннотация на другом языке
AlGaN ternary alloys with a band gap from 3.4 to 6.2 eV are very promising for photodetectors in the UV wavelength range. Using Comsol software based on AlxGax-1N, a p-i-n photodiode model was developed, including its I – V characteristic, spectral sensitivity of received radiation, absorption coefficient as a function of aluminum fraction and depletion layer thickness. The peak sensitivity of the photodiode is from 0.08 to 0.18 A / W at wavelengths of 0.2–0.33 μm. This corresponds to experimental results taken from the literature.
URI документа
https://rep.bstu.by/handle/data/47998
Документ расположен в коллекции