| dc.contributor.author | Филонович, С. А. | |
| dc.contributor.author | Рибейро, М. | |
| dc.contributor.author | Алпуим, П. | |
| dc.coverage.spatial | Брест | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-29T09:23:22Z | |
| dc.date.available | 2021-03-29T09:23:22Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.identifier.citation | Филонович, С. А. Свойства легированных пленок нанокристаллического кремния, выращенных на пластиковых подложках методом газофазного химического осаждения / С. А. Филонович, М. Рибейро, П. Алпуим // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2006. – № 5. – С. 87–89. | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/12698 | |
| dc.description.abstract | В данной работе изложен метод легирования тонких пленок нанокристаллического кремния фосфором и бором с помощью газофазного осаждения кремния, полученного разложением силана на горячей проволоке. В качестве подложки использовались гибкие пластиковые материалы (полиэтилен нафталата и полиамид) и стекло, а температура осаждения не превышала 150 ?C. Изучалось влияние концентрации водорода и легирующих газов, а также толщины пленок на структурные и электрические свойства кремниевых пленок. Значение темновой проводимости p- и n- легированных пленок (?d = 2.8 (Ом*см)-1 и 4.7 (Ом*см)-1, соответственно) выращенных на пластиковых подложках, выше, чем в аналогичных пленках на стеклянной подложке. Кристаллические свойства, энергия активации и темновая проводимость очень тонких пленок (~10-40 нм) p- и n-типа, выращенных при условиях, обеспечивающих рост нанокристаллических пленок с толщиной ? 50 нм, имеют значения, типичные для легированного аморфного кремния. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | БрГТУ | |
| dc.title | Свойства легированных пленок нанокристаллического кремния, выращенных на пластиковых подложках методом газофазного химического осаждения | |
| dc.type | Статья (Article) | |
| dc.identifier.udc | 535.337 | |
