| dc.contributor.author | Тарасюк, Николай Петрович | |
| dc.contributor.author | Луценко, Евгений Викторович | |
| dc.contributor.author | Гладыщук, Анатолий Антонович | |
| dc.coverage.spatial | Брест | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-05T09:26:09Z | |
| dc.date.available | 2021-03-05T09:26:09Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.identifier.citation | Тарасюк, Н. П. Расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2007. – № 5. – С. 90–93. | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/10982 | |
| dc.description | TARASIUK N.P., LUTSENKO E.V., GLADYSHCHUK A.A. Calculation of distribution of intensity of radiation of semiconductor lasers in near and far zones | |
| dc.description.abstract | Приводится расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах. Представлено и обсуждается соответствие измеренной интенсивности излучения в дальней зоне с рассчитанной при различных коэффициентах наклона, применяемых разными авторами. Для характеристики распределения излучения в дальней зоне лазера на основе симметричного трехслойного плоского волновода с активной областью GaAs вычислены углы, измеренные на уровне половины максимальной интенсивности излучения. Получено хорошее совпадение измеренной интенсивности излучения в дальней зоне с рассчитанной, позволяющее определить действительное распределение электрического поля внутри структуры. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | БрГТУ | |
| dc.title | Расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах | |
| dc.type | Статья (Article) | |
| dc.identifier.udc | 535 | |
| dc.abstract.alternative | Calculation of distribution of intensity of radiation of semiconductor lasers in near and far zones is presented. Conformity of the measured intensity of radiation in a far zone with the calculated one at different coefficients of inclination used by different authors is represented and discussed. For the characteristic of distribution of radiation in a far zone of the laser on the basis of a symmetric three-layer planar waveguide with active area GaAs the corners measured at a level of half of the maximal intensity of radiation were calculated. Good concurrence of the measured intensity of radiation in a far zone with the calculated one is received, allowing to define the valid distribution of an electric field inside structure. | |
