Search

Расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах

Thumbnail
View/Open document files
Author
Date
2007
Publisher
БрГТУ
UDC
535
Citation
Тарасюк, Н. П. Расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах / Н. П. Тарасюк, Е. В. Луценко, А. А. Гладыщук // Вестник Брестского государственного технического университета. Серия: Физика, математика, информатика. – 2007. – № 5. – С. 90–93.
Abstract
Приводится расчет распределения интенсивности излучения полупроводниковых лазеров в ближней и дальней зонах. Представлено и обсуждается соответствие измеренной интенсивности излучения в дальней зоне с рассчитанной при различных коэффициентах наклона, применяемых разными авторами. Для характеристики распределения излучения в дальней зоне лазера на основе симметричного трехслойного плоского волновода с активной областью GaAs вычислены углы, измеренные на уровне половины максимальной интенсивности излучения. Получено хорошее совпадение измеренной интенсивности излучения в дальней зоне с рассчитанной, позволяющее определить действительное распределение электрического поля внутри структуры.
Annotation in another language
Calculation of distribution of intensity of radiation of semiconductor lasers in near and far zones is presented. Conformity of the measured intensity of radiation in a far zone with the calculated one at different coefficients of inclination used by different authors is represented and discussed. For the characteristic of distribution of radiation in a far zone of the laser on the basis of a symmetric three-layer planar waveguide with active area GaAs the corners measured at a level of half of the maximal intensity of radiation were calculated. Good concurrence of the measured intensity of radiation in a far zone with the calculated one is received, allowing to define the valid distribution of an electric field inside structure.
URI
https://rep.bstu.by/handle/data/10982
Collection