| dc.contributor | Брестский государственный технический университет | ru_RU |
| dc.contributor | Brest State Technical University | ru_RU |
| dc.contributor.author | Кушнер, Татьяна Леонидовна | |
| dc.contributor.author | Чугунов, Сергей Владимирович | |
| dc.coverage.spatial | Брест | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2019-08-29T07:10:33Z | |
| dc.date.available | 2019-08-29T07:10:33Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Кушнер, Т. Л. Вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны полупроводника CuGa5Se8 / Т. Л. Кушнер, С. В. Чугунов
// Вестник БрГТУ. Серия : Физика, математика, информатика. – 2012. – № 5. – С. 48–51. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.bstu.by/handle/data/1054 | |
| dc.description | KUSCHNER T.L. СHUGUNOV S.V. Contributions of thermal expansion on the changes in temperature of the optical band gap in semiconductor
CuGa5Se8 | ru_RU |
| dc.description.abstract | Зависимости ширины запрещенной зоны от температуры для
монокристаллов CuGa5Se8 были проанализированы с помощью
модели, которая учитывает как электрон-фононное взаимодействие,
так и тепловое расширение кристаллической решетки. Обнаружено,
что на температурные изменения ширины запрещенной зоны влияют в основном оптические фононы с эффективной энергией равной
приблизительно 16 мэВ. Из значений параметра Θ была рассчитана
температура Дебая, значение которой хорошо согласуется с данными, полученными ранее из температурных рентгеновских измерений. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БрГТУ | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика, математика, информатика; | |
| dc.subject | термодинамика | ru_RU |
| dc.subject | статистическая физика | ru_RU |
| dc.subject | тепловое излучение | ru_RU |
| dc.subject | свойства твердого тела | ru_RU |
| dc.subject | молекулярные системы | ru_RU |
| dc.subject | thermodynamics | ru_RU |
| dc.subject | statistical physics | ru_RU |
| dc.subject | thermal radiation | ru_RU |
| dc.subject | solid properties | ru_RU |
| dc.subject | molecular systems | ru_RU |
| dc.title | Вклад теплового расширения решетки в температурные изменения ширины запрещенной зоны полупроводника CuGa5Se8 | ru_RU |
| dc.type | Статья (Article) | ru_RU |
| dc.identifier.udc | 536.3:539.21-17 | ru_RU |
| dc.abstract.alternative | The temperature dependence of the optical band gap Eg in bulk crystals CuGa5Se8 has been analyzed by separately considering the contributions due
to electron-phonon interaction and thermal expansion. It is found that the variation of the optical band gap with temperature is mainly due to the contribution
of optical phonons with a characteristic phonon energy of about 16 meV. The Debye temperature is defined by parameters Θ obtained from the
theoretical fit. The value is in good agreement with reported for the compound CuGa5Se8 earlier and obtained from the x-ray powder diffraction measurements
at various temperatures. | ru_RU |
